苏州顺益新半导体是一家扎根于苏州工业园区的高新技术企业,专注于半导体材料与芯片设计研发，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，自成立以来，公司依托长三角地区完善的半导体产业链生态，聚焦功率半导体、第三代半导体材料及核心芯片领域，逐步构建起从材料研发、芯片设计到封装测试的完整技术体系，在新能源汽车、光伏储能、工业控制等关键市场形成了差异化竞争优势。
公司核心业务涵盖两大板块：一是半导体材料研发与生产，包括硅片、化合物半导体衬底材料（如氮化镓、碳化硅）及配套特种化学品；二是高性能芯片设计，重点布局功率器件（MOSFET、IGBT）、模拟芯片及传感器芯片，在材料领域，顺益新通过自主创新突破了大尺寸硅片抛光、碳化硅单晶生长等关键技术，其8英寸硅片产品表面粗糙度控制在0.2nm以下，达到国际先进水平；在芯片设计领域，公司研发的650V/1200V硅基IGBT芯片，导通压降低至1.5V，开关频率提升至50kHz，性能指标优于国内同类产品，已通过AEC-Q101车规级认证。
为支撑技术研发与产业化落地,顺益新建立了占地约20000平方米的研发制造基地，配备百级、千级净化车间及先进检测设备，形成月产8英寸硅片5万片、功率芯片2000万颗的生产能力，公司研发团队占比达40%，核心成员拥有20年以上半导体行业经验，与中科院苏州纳米所、苏州大学微电子学院等科研机构共建联合实验室，累计申请专利120项，其中发明专利占比35%，参与制定行业标准3项。
在市场应用方面,顺益新半导体产品已广泛应用于新能源汽车电控系统、光伏逆变器、工业变频器等场景，以新能源汽车领域为例，公司自主研发的车规级IGBT模块，通过优化芯片结构与封装工艺，使电控系统效率提升至98%以上，已进入国内头部新能源汽车厂商供应链；在光伏领域，其碳化硅二极管产品助力光伏逆变器实现 MPPT 效率＞99.5%，支持客户开发更高功率密度的组串式逆变器，市场占有率连续三年保持国内前十。
发展历程上,顺益新自2015年成立以来，经历了技术积累、产品突破、规模扩张三个阶段：2015-2017年聚焦材料研发，突破8英寸硅片关键技术；2018-2020年布局芯片设计，推出首款IGBT芯片并实现量产；2021年至今加速产能扩张，建成第二条智能化产线，碳化硅衬底材料进入小批量试产阶段，先后获评国家级专精特新“小巨人”企业、江苏省半导体行业协会理事单位。
在产业链合作方面,顺益新与上游沪硅产业、有研硅等原材料供应商建立长期稳定合作，保障硅片、特种气体等关键材料供应；下游与比亚迪、宁德时代、阳光电源等龙头企业形成深度绑定，通过联合开发模式定制化满足客户需求，公司积极融入全球产业体系，产品通过ISO 9001、IATF 16949等国际认证，出口至欧洲、东南亚市场，2023年海外营收占比达15%。
面向未来,顺益新半导体将持续聚焦第三代半导体技术，重点突破12英寸硅片、低缺陷碳化硅衬底及高压IGBT芯片等关键产品，计划2025年建成12英寸硅片中试线，碳化硅衬底产能提升至月产1万片，芯片设计能力覆盖1700V以上高压领域，目标成为国内领先的半导体材料与芯片解决方案提供商，助力全球半导体产业自主可控发展。
FAQs
问：苏州顺益新半导体的核心竞争优势体现在哪些方面？
答：核心优势主要体现在三方面：一是技术壁垒，通过自主研发突破大尺寸硅片抛光、碳化硅单晶生长等关键技术，材料纯度、芯片性能指标达国际先进水平；二是产业链协同，构建“材料-芯片-封装”完整体系，可快速响应客户定制化需求；三是市场认证，产品通过车规级、工业级多重认证，进入新能源汽车、光伏头部企业供应链，形成稳定的客户粘性。
问：公司在第三代半导体领域的布局和进展如何？
答：顺益新重点布局氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料，目前碳化硅衬底材料已完成4英寸量产研发，6英寸样品进入客户验证阶段，缺陷密度控制在0.5个/cm²以下；氮化镓外延片研发取得突破，击穿电压达1200V，适用于5G基站、快充等高频场景，公司计划2024年建成碳化硅功率器件产线，推出650V/1200V碳化硅二极管和MOSFET产品，进一步拓展新能源汽车OBC、光伏储能等高端应用市场。
